大家好，关于三级黃60分钟很多朋友都还不太明白，今天小编就来为大家分享关于《梦幻符石》无心插柳怎么打的知识，希望对各位有所帮助！
一、无尘室须知
2.进入无尘室严禁吸烟，吃(饮)食，外来杂物(如报章，杂志，铅笔...等)不可携入，并严禁嘻闹奔跑及团聚谈天。
3.进入无尘室前，需在规定之处所脱鞋，将鞋置于鞋柜内，外衣置于衣柜内，私人物品置于私人柜内，柜内不可放置食物。
4.进入无尘室须先在更衣室，将口罩，无尘帽，无尘衣以及鞋套按规定依程序穿戴整齐，再经空气洗尘室洗尘，并踩踏除尘地毯(洗尘室地板上)方得进入。
5.戴口罩时，应将口罩戴在鼻子之上，以将口鼻孔盖住为原则，含漏以免呼吸时污染芯片。
6.穿著无尘衣，无尘帽前应先整理服装以及头发，以免着上无尘衣后，不得整理又感不适。
7.整肃仪容后，先戴无尘帽，无尘帽的穿戴原则系:
(1)头发必须完全覆盖在帽内，不得外露。
(2)无尘帽之下摆要平散于两肩之上，穿上工作衣后，方不致下摆脱出，裸露肩颈部。
8.无尘帽戴妥后，再着无尘衣，无尘衣应尺吋合宜，才不致有裤管或衣袖太短而裸露皮肤之虞，穿衣时应注意帽之下摆应保平整之状态，无尘衣不可反穿。
9.穿著无尘衣后，才着鞋套，拉上鞋套并将鞋套整平，确实盖在裤管之上。
10.戴手套时应避免以光手碰触手套之手掌及指尖处(防止钠离子污染)，戴上手套后，应将手套之手腕置于衣袖内，以隔绝污染源。
11.无尘衣着妥后，经洗尘，并踩踏除尘毯，方得进入无尘室。
12.不论进入或离开无尘室，须按规定在更衣室脱无尘衣，不可在其它区域为之，尤不可在无尘室内边走边脱。
13.无尘衣，鞋套等，应定期清洗，有破损，脱线时，应即换新。
14.脱下无尘衣时，其顺序与穿著时相反。
15.脱下之无尘衣应吊好，并放于更衣室内上层柜子中;鞋套应放置于吊好的无尘衣下方。
16.更衣室内小柜中，除了放置无尘衣等规定物品外，不得放置其它物品。
17.除规定纸张及物品外，其它物品一概不得携入无尘室。
18.无尘衣等不得携出无尘室，用毕放置于规定处所。
19.口罩与手套可视状况自行保管或重复使用。
20.任何东西进入无尘室，必须用洒精擦拭干净。
21.任何设备的进入，请知会管理人，在无尘室外擦拭干净，方可进入。
22.未通过考核之仪器，禁止使用，若遇紧急情况，得依紧急处理步骤作适当处理，例如关闭水、电、气体等开关。
23.无尘室内绝对不可动火，以免发生意外。
二、无尘室操作须知
1.处理芯片时，必须戴上无纤维手套，使用清洗过的干净镊子挟持芯片，请勿以手指或其它任何东西接触芯片，遭碰触污染过的芯片须经清洗，方得继续使用：
(1)任何一支镊子前端(即挟持芯片端)如被碰触过，或是镊子掉落地上，必须拿去清洗请勿用纸巾或布擦拭脏镊子。
(2)芯片清洗后进行下一程序前，若被手指碰触过，必须重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，准备进炉管时，若发现所用镊子有污损现象或芯片上有显眼由镊子所引起的污染，必须将芯片重新清洗，并立即更换干净的镊子使用。
2.芯片必须放置盒中，盖起来存放于规定位置，尽可能不搏枣让它暴露。
3.避免在芯片上谈话，以防止唾液溅于芯片上，在芯片进扩散炉前，请特别注意，防止上述动作产生，若芯片上沾有纤维屑时，用氮气枪喷之。
4.从铁弗龙(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等载具(Carrier)上，取出芯片时基老拆，必须垂直向上挟起，避免刮伤芯片，显微镜镜头确已离芯片，方可从吸座上移走芯片。
5.芯片上，若已长上氧化层，在送黄光室前切勿用钻石刀在芯片上刻记。
6.操作时，不论是否戴上手套，手绝不能放进清洗水槽。
7.使用化学站或烤箱处理芯片时，务必将芯片置放于铁弗龙晶舟内，不可使用塑料盒。
8.摆置芯片于石英舟时，若芯片掉落地上或手中则必须重新清洗芯片，然后再进氧化炉。
9.请勿触摸芯片盒内部，如被碰触或有碎芯片污染，必须重作清洗。
10.手套，废纸及其它杂碎东西，请勿留置于操作台，手套若烧焦、磨破或纤维质变多必须换新。
11.非经指示，绝不可开启不熟悉的仪器及各种开关阀控制钮或把手。
12.奇怪的味道或反应异常的溶液，颜色，声响等请即通知相关人员。
13.仪器因操作错误而有任何损坏时，务必立刻告知负责人员或老师。
14.芯片盒进出无尘室须保持干净，并以保鲜膜封装，违者不得进入。
15.无尘室内一律使用原子笔及无尘笔记本做记录，一般纸张与铅笔不得携入。
三、黄光区操作须知
1.湿度及温度会影响对准工作，在黄光区应注意温度及湿度，并应减少对准机附近的人，以减少湿、温度的变化。
2.上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得携出黄光区以免感光。
3.己上妥光阻，而在等待对准曝光之芯片，应放置于不透明之蓝黑色晶盒之内，盒盖必须盖妥。
4.光罩使用时应持取边缘，不得触及光罩面，任何状况之下，光罩铬膜不得与他物接触，以防刮伤，光罩之落尘可以氮气枪吹之。
5.曝光时，应避免用眼睛直视曝光机汞灯。
四、镊子使用须知
1.进入实验室后，应先戴上手套后，再取镊子，以免沾污。
2.唯有使用干净的镊子，才可持取芯片，镊子一旦掉在地上或被手触碰，或因其它原因而遭污染，必须拿去清洗，方可再使用。
3.镊子使用后，应放于各站规定处，不可任意放置，如有特殊制程用镊子，使用后应自行保管，不可和实验室内各站之镊子混合使用。
4.持镊子应采"握笔式"姿势挟取芯片。
5.挟取芯片时，顺序应由后向前挟取，放回芯片时，则由前向后放回，以免刮伤芯片表面。
6.挟取芯片时，"短边"(锯状头)置于芯片正面，"长边"(平头)置于芯片背面，挟芯片空白部分，不可伤及芯片。
7.严禁将镊子接触酸槽或D.IWater水槽中。
8.镊子仅可做为挟取芯片用，不准做其它用途。
五、化学药品使用须知
1.化学药品的进出须登记，并知会管理人，并附上物质安全资料表（MSDS）于实验室门口。
2.使用化学药品前，请详读物质安全资料表(MSDS)，并告知管理人。
3.换酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸长袖手套，头戴护镜，脚着塑料防酸鞋，始可进行换酸工作。
4.不得任意打开酸瓶的盖子，使用后立即锁紧盖子。
5.稀释酸液时，千万记得加酸于水，绝不可加水于酸。
6.勿尝任何化学药品或以嗅觉来确定容器内之药品。
7.不明容器内为何种药品时，切勿摇动或倒置该容器。
8.所有化学药品之作业均须在通风良好或排气之处为之。
9.操作各项酸液时须详读各操作规范。
10.酸类可与碱类共同存于有抽风设备的储柜，但绝不可与有机溶剂存放在一起。
11.废酸请放入废酸桶，不可任意倾倒，更不可与有机溶液混合。
12.废弃有机溶液置放入有机废液桶内，不可任意倾倒或倒入废酸桶内。
13.勿任意更换容器内溶液。
14.欲自行携入之溶液请事先告知经许可后方可携入，如果欲自行携入之溶液具有危险性时，必须经评估后方可携入，并请于容器上清楚标明容器内容物及保存期限。
15.废液处理：废液分酸、碱、氢氟酸、有机、等，分开处理并登记，回收桶标示清楚，废液桶内含氢氟酸等酸碱，绝对不可用手触碰。
16.漏水或漏酸处理：漏水或漏酸时，为确保安全，绝对不可用手触碰，先将电源总开关与相关阀门关闭，再以无尘布或酸碱吸附器处理之，并报备管理人。
六、化学工作站操作
1.操作时须依规定，戴上橡皮手套及口罩。
2.不可将塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.添加任何溶液前，务必事先确认容器内溶剂方可添加。
4.在化学工作站工作时应养成良好工作姿势，上身应避免前倾至化学槽及清洗槽之上方，一方面可防止危险发生，另一方面亦减少污染机会。
5.化学站不操作时，有盖者应随时将盖盖妥，清洗水槽之水开关关上。
6.化学药品溅到衣服、皮肤、脸部、眼睛时，应即用水冲洗溅伤部位15分钟以上，且必须皮肤颜色恢复正常为止，并立刻安排急救处理。
7.化学品外泄时应迅速反应，并做适当处理，若有需要撤离时应依指示撤离。
8.各化学工作站上使用之橡皮手套，避免触碰各机台及工作台，及其它器具等物，一般操作请戴无尘手套。
七、RCAMethod
1.DIWater5min
2.H2SO4:H2O2=3:1煮10~20min75~85℃，去金属、有机、油
3.DIWater5min
4.HF:H2O10~30sec，去自然氧化层(NativeOxide)
5.DIWater5min
6.NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5煮10~20min75~85℃，去金属有机
7.DIWater5min
8.HCl:H2O2:H2O=1:1:6煮10~20min75~85℃去离子
9.DIWater5min
10.SpinDry
八、清洗注意事项
1.有水则先倒水，H2O2最后倒，数字比为体积比。
2.有机与酸碱绝对不可混合，操作平台也务必分开使用。
3.酸碱溶液等冷却后倒入回收槽，并以DIWater冲玻璃杯5min。
4.酸碱空瓶以水清洗后，并依塑料瓶，玻璃瓶分开置于室外回收筒。
5.氢氟酸会腐蚀骨头，若碰到立即用葡萄酸钙加水涂抹，再用清水冲洗干净，并就医。碰到其它酸碱则立即以DIWater大量冲洗。
6.清洗后之Wafer尽量放在DIWater中避免污染。
7.简易清洗步骤为1-2-9-10；清洗SiO2步骤为1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8.去除正光阻步骤为1-2-10，或浸入ACE中以超音波振荡。
9.每个玻璃杯或槽都有特定要装的溶液，蚀刻、清洗、电镀、有机绝不能混合。
10.废液回收分酸、碱、氢氟酸、电镀、有机五种，分开回收并记录，倾倒前先检查废弃物兼容性表，确定无误再倾倒。
无尘室系统
使用操作方法
1.首先打开控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关。
注意:
＊温度控制器及湿度控制器可由黄色钮调整，一般温度控制为20℃DB，湿度控制为50%RH。
＊左侧的控制器面板上电压切换开关为【RU】，电流切换开关为【T】。右侧的控制器面板上电压切换开关为【RS】，电流切换开关为【OFF】。
2.将箱型空气调节机的送风关关打开，等送风稳定后再将冷气暖气开关打开，此时红色灯会亮起，表示正常运作。
注意:
＊冷气的起动顺序为压缩机【NO.2】。
＊温度调节为指针指向红色暖气【5】。
＊分流开关AIRVALVE为【ON】。
3.无尘室使用完毕后，要先将箱型空气调节机关闭，按【停止】键即可。
4.再将控制器面板上的【电热运转】、【加压风车运转】、【浴尘室运转】、【排气风车运转】等开关依序关闭。
气体钢瓶
使用操作方法
1.用把手逆时针打开气体钢瓶到底，将【OUTLET】打开PURGE关闭。
2.由黑色转钮调整气体钢瓶的压力(psi)，顺时针方向为增加，逆时针方向为减少。
3.将N2钢瓶调整为40psi（黄光室内为20psi）,AIR钢瓶调整为80psi（黄光室内为60psi）。
4.气体钢瓶使用完毕后，用把手顺时针关闭气体钢瓶到底，将【OUTLET】关闭【PURGE】打开将管路内的气体排出后将【PURGE】关闭。
纯水系统
使用操作方法
1.阀门控制
(1)阀门(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19应保持全开。
(2)阀门V5、V7、V11、V18、V21应保持全关。
(3)阀门V9、V20为调压作用，不可全开或全关。
(4)阀门中V5为砂滤机之BY-PASS，V15为U.V灯之BY-PASS，V18为DI桶之BY-PASS，V21为RO膜之BY-PASS。
2.自动造水
步骤1：如上【阀门控制】将各球阀门开关定位。
步骤2：控制箱上，各切换开关保持在【OFF】位置。
步骤3：将控制箱上【系统运转】开关切换至【ON】位置。
步骤4：电磁阀1激活先做初期排放。
步骤5：电磁阀2激活造水。
步骤6：此时，PUMP1、PUMP2依序激活，系统正常造水，RO产水经管路进入储水桶(TANK)，当水满后控制箱上高液位指示灯亮，系统自动停机，并于储水桶水位下降至低液位时再激活造水。
3.系统用水
将控制箱上之【夜间循环-停-用水】切换开关切换至【用水】，此时PUMP3输送泵浦激活，TANK内之纯水经帮浦输送至U.V、DI桶及精密过滤后，供现场各使用点使用。
4.夜间循环
控制箱上之【夜间循环-停-用水】切换开关，主要在配合每日下班或连续假日停止供水后管路之卫生考虑，其步骤为:
(1)停止供水59分钟后，系统再自动供水1分钟。
(2)此后每隔59分钟供水循环1分钟至夜间循环【停】为止。
5.系统侦测
本系统中附有各项压力表、流量计及导电度计，作为系统运转之控制，其功能如下:
压力表1：砂滤机进水压力
压力表2：RO进水压力
压力表3：RO排水压力
压力表4：DI进水压力
压力表5：供水回流压
流量计1：RO排水流量
流量计2：RO产水流量
另外，控制箱(机房)附有二段式LED导电度显示屏，原水及产水分别切换显示。
6.系统维护
HF-RD系统，应定期更新之耗材:
(1)砂滤机应定期逆时。
(2)预滤应每1-2个月更新。
(3)膜管应视其去除率及产水量做必要之清洗或更新。
(4)树脂混床视比电阻值更新。
(5)精密过滤约每2-4个月更新。
7.故障排除
现象可能因素排除方法
系统停机、系统无法激活1.外电源异常2.系统运转开关未按下3.系统电路故障4.马达/泵浦故障1.检查系统电源电路2.按下系统运转开关3.通知厂商4.更新马达/泵浦
低产水量1.膜管排水量太高2.压力不足3.膜管阻塞1.调整排水阀V92.清洗膜管或更新膜管
低比电阻1.树脂功能下降2.RO去除率下降1.更换树脂2.更换RO膜组
光罩对准机
使用操作方法
曝光机简介
在半导体制程中，涂布光阻后的芯片，须经UV紫外光照射曝光显影，此台曝光机为OAI200系列，整合光罩对准、UV紫外光曝光显影、UV紫外光测量装置及光罩夹持装置。
OAI200系列为一入门型光罩对准仪，可以手动操作更改各项使用参数，如曝光时间、曝光强度及曝光功率等等。对于中高阶的线宽有很好的显影效果，此系列最大可使用四吋的芯片，最大的曝光功率为1KW。
曝光机使用步骤
1.检查氮气钢瓶〈AIR60psi〉〈N220psi〉以及黄光室的氮气阀、空气阀是否有开启。开启曝光机下方延长线的红色总开关，再开启曝光机、显微镜。
2.接上隧道式抽风马达电源，进行曝光机抽风步骤，并检查曝光机上方汞灯座后面进风口是否有进气。如果风量微小或者无进气，则无法开启汞灯的电源〈会有警报声〉。确定进风口有进气后，才可开启曝光机下方的汞灯电源供应器ON/OFF开关。
3.按住汞灯电源供应器之START键，约1~3秒钟，此时电流值会上升〈代表汞灯点亮，开始消耗电流〉，马上放掉按键，汞灯即被点亮。
4.汞灯点亮后，至少须待机30分钟，使Lightsource系统稳定。假使汞灯无法点亮，请不要作任何修护动作。
5.待系统稳定后，把电源供应器上的电压、电流值填到纪录表上，每一次开灯使用都要登记作为纪录。
6.旋开光罩夹具之螺丝，光罩之正面〈镀铬面〉朝下，对准三个基准点，压下【MASKVAC.】键，使真空吸住光罩，再锁好螺丝以固定光罩。
注意：
＊MASKHolder必须放下时才能放置光罩。扳动【MASKFRAMEUP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊先用氮气吹光罩和MASKHolder，光罩正面朝下，对准黑边铁框，手勿接触光罩，压下【MASKVAC.】键，使真空吸住光罩，锁上旁边两个黑铁边。
＊检查放置芯片的圆形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩压破芯片。
7.扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】键，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，将【SUBVAC.】键扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASKFRAMEUP/DOWN】键，使MASKHolder放下。
8.扳动台边钮(BallLockButton)为Unlock，顺时针方向慢慢旋转旋转钮(Zknob)，使芯片基座上升，直到传动皮带感觉已拉紧即可，然后逆时针旋转ZKnob约15格，扳动台边钮(BallLockButton)为Lock。
注意：
＊Zknob每格约15microns。
＊逆时针方向旋转Zknob，会使放置芯片基座下降，其目的是为了作对准时，让芯片和光罩有些许的距离，使芯片与光罩不会直接摩擦。
＊若不须对准时，可以不使用逆时针方向旋转Zknob。
＊旋转Zknob时，不论顺时针或逆时针转动，当皮带打滑时，代表芯片基座已和光罩接触，此时不可逆时针旋转，而导致内部螺栓松脱。
＊CHUNK¨Z¨ADJUST一般为15A~20A之间，且电流越小皮带越松。
9.移动显微镜座，至光罩上方，作芯片与光罩的对准校正。如须调整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微调杆，校正芯片座X、Y及θ。
10.
100SEC
1000SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光机面板左侧如下图：
注意：
＊曝光秒数有两种设定，一种为1000SEC，一种为100SEC。当按下1000SEC时，计数器最大可设999秒的曝光时间；按下100SEC时，计数器最大可设99.9秒的曝光时间。
＊再设定曝光秒数时要先测量汞灯的亮度，先按LAMPTEST再按住把手上的按钮移动基座至曝光机左端底，后然将OAI306UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完毕后按RESET，而且可多测几个不同的位置，观看汞灯的亮度是否均匀，所测得的单位为mw/cm2，乘时间(SEC)即变可mJ的单位。
11.设定好曝光秒数后，即可进行曝光的程序。扳动【CONTACTVAC.】至ON，【N2PURGE】至ON，则芯片和光罩之间会产生些许的真空。
注意:
＊【CONTACTVAcadJUST】的范围一般为红色-25kpa左右。
12.按住把手上的按钮，此时基座才可移动，移至曝光机左端底，放开按钮，则曝光机会自动进行曝光的动作。
13.曝光完成后，即可将基座移回曝光机右端。扳动扳动【N2PURGE】为OFF。再扳动【CONTACTVAC.】至OFF，仪器会充氮气破光罩与芯片间的真空，方便使用者拿出芯片。
14.逆时针旋转Zknob，降下芯片基座至最低点。松开光罩固定的黑边铁框，拉起【MASKVAC.】钮，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15.扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】为UP，使MASKHolder升起。扳动【SUBVAC.】为OFF，使用芯片夹取出芯片，再扳【MASKFRAMEUP/DOWN】为DOWN。
16.如须进行再一次的曝光，则可重复上述步骤。
17.完成所有的曝光程序后，先关掉显微镜光源产生器，再关掉汞灯电源供应器。〈关灯后一小时内不可再开启汞灯，已延长汞灯寿命〉
18.先关隧道式抽风马达电源，关掉曝光机的开关【SYSTemoN/OFF】为OFF，再关掉曝光机下方的延长线总开关。待曝光机冷却后，最后再关掉墙上氮气阀及空气阀。
热蒸镀机
使用操作方法
A.开机步骤
1.开机器背面的总电源开关。
2.开冷却水，需先激活D.IWater系统。
3.开RP，热机2分钟。
4.开三向阀切至F.V的位置，等2分钟。
5.开DP，热机30分钟(热机同时即可进行Sample之清洗与装载，以节省时间)。
B.装载
1.开Vent，进气之后立刻关闭。
2.开Chamber。
3.LoadingSample、Boat及金属。
4.以Shutter挡住Sample。
5.关Chamber，关门时务必注意门是否密合，因机器年久失修，通常须用手压紧门的右上角。
C.抽真空
1.初抽
(1)三向阀切至R.V位置(最好每隔几分钟就切换到F.V一下，以免DP内的帮浦油气分子扩散进入chamber中)。
(2)真空计VAP-5显示至5´10-2torr时三向阀切至F.V，等30秒。
2.细抽
(1)M.VON，记录时间。
(2)IONGAUGEON，压下Fil点燃灯丝(需要低于10-3Torr以下才抽气完成)。
D.蒸镀
1.压力约2´10-5Torr时，开始加入液态氮。
2.压力低于2´10-6Torr时，记录压力及抽气时间并关掉IONGAUGE。
3.HeaterPowerON(确定Power调整钮归零)。
4.选择BOAT1orBOAT2。
5.蒸镀开始，注意电流需慢慢增加。
注意:
＊镀金时，仪表上电流约100A，镀Al时电流可稍微小些，约70~80A。
＊当BOAT高热发出红光时，应立即关闭观景窗，以免金属附着在观景窗的玻璃上。
＊空镀几秒将待镀金属表面清干净后即可打开Shutter，开始蒸镀。
＊蒸镀完成后，立刻关闭HeaterPower，等10~15分钟让BOAT冷却及蒸镀后的金属冷却，避免立即和空气接触而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1.SubstrateHold温度需要降至常温。
2.IONGAUGE【POWER】OFF。
3.M.VOFF。
4.DPOFF冷却30~60分钟。
5.开Vent(进气后立刻关闭)。
6.开Chamber，取出Sample及BOAT。
7.关Chamber，注意将门关紧。
F.关机
1.关F.V。
2.开R.V，抽至0.01Torr之后关闭。
3.开F.V，30秒后三向阀切至关闭之位置。
4.RPOFF。
5.关总电源。
6.关冷却水。
7.关氮气。
注意：
＊蒸镀时，电流应缓慢增大，且不可太大，以免金属在瞬间大量气化，使厚度不易控制。
＊若接续他人使用，液态氮可少灌一点儿，约三分之一筒即可。
氧化炉管
使用操作方法
氧化炉管简介
本实验室所采用之氧化炉管为LentonLTF1200水平管状式炉子，可放2英吋硅晶圆，加热区大于50cm，最高温度可达1200°C并可连续24hr，最大操作温度为1150°C，温控方式采用PID微电脑自动温度控制器。
目的
将硅芯片曝露在高温且含氧的环境中一段时间后，我们可以在硅芯片的表面生长一层与硅的附着性良好，且电性符合我们要求的绝缘体-SiO2。
注意:
＊在开启氧化炉之前，必须先确定【HEAT】Switch设定为【O】关闭的状态。Switch在有电源供应时【l】将会发光，而氧化炉也将开始加热。
＊如果过温保护装置是好的，请确定警报点的设定于目前的使用过程中为恰当地。如果过热保护装置是好的，蜂呜器会有声音，在过温控制操作中有警报一致的程序。
＊为了改善石英玻璃管或衬套热量的碰撞，其加热速率最大不能超过3°Cpermin。
＊为了减少热流失，必须确定正确的操作程序，适当的使用绝缘栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊在操作氧化炉时不要在最大温度下关闭氧化炉，以延长氧化炉的寿命。
操作步骤:
1.检查前一次操作是否有异常问题发生，并填写操作记录。
2.检查机台状态
(1)控制面板状态：使用前先确定【HEAT】Switch设定为【O】关闭的状态。
(2)加热控制器:LentonLTF1200温度>400°C，前后段炉温差£40°C。
(3)气体控制:H2【OFF】，O2【OFF】。
3.将芯片缓慢的推入炉管内。
4.打开墙上H2、O2之开关和机房的气瓶调压阀。
5.设定预设气体（H2、O2）流量值及炉温。
6.按下【HEAT】Switch为【l】，此时炉温将从恒温(400°C)慢慢加热至标准制程温度1100°C，升温速率最大不能超过3°Cpermin。
7.待炉温降至恒温后将芯片取出。
8.关闭H2、O2。
9.关闭炉管后端H2之开关及墙上之开关和机房的气瓶调压阀。
10.检查炉管是否完成关机动作。
11.填写操作记录之终了时间和异常保护及说明。
涂布机
使用操作方法
1.首先将PUMP的电源插头插入涂布机后面的电源插座。
2.将涂布机的插头插入110V的电源插座，然后按下【POWER】键。
3.设定旋转的转速及时间，本机型为二段式加速的SpinCoating，右边为第一段加速，左边为第二段加速。
4.依不同尺寸的基材，可更换不同的旋转转盘做涂布的动作。
5.按下【PUMP】键，此时旋转转盘会吸住基材，然后将光阻依螺旋状从基材中心均匀且慢慢的往外涂开至适当的量，在做光阻涂开动作时可先用氮气将旋转转盘周围及基材吹干净。
6.盖上涂布机的保护盖，以防止光阻溅出涂布机外。
7.按下【START】键，涂布机便开始做涂布的动作。
8.涂布完毕后，打开保护盖，按下【PUMP】键旋转转盘会放开基材，便可以将基材取出。
热风循环烘箱
使用操作方法
1.本机使用电压110V/60HZ。
2.确认电压后，将电源线插入110V的插座。
3.打开【POWER】开关，此时温度表PV即显示箱内实际温度。
4.首先按【SET】键ÿ，SV会一直闪烁此时即可开始设定温度，而SV的字幕窗会呈现高亮度，在高亮度的位置可设定所需的温度，只要再按【SET】键ÿ高亮度会随之移动，在高亮度的地方即可设定温度。
5.按上移键▲表示温度往上递增，按下移键▼则温度往下递减。
6.当完成以上设定温度之后(SV仍闪烁不停)此时只要按一次【ENT】键SV即呈现刚才所设定的温度(PV显示实际温度)。
7.加热灯OUT显示灯亮时表示机器正在加热中，而到达设定点时OUT会一闪一烁(正常现象)。
8.AT灯亮时表示温度正自动演算中。
9.ALM-1红色灯亮时表示温度过热(温度会自动降温)。
10.ALM-2红色灯亮时表示温度过低(温度会自动加温)。
11.温度范围:40℃~210℃。
Rickettsia—likeorganism
柑桔黄龙病又名黄梢病、黄枯病，是国内检疫对象。主要分布于台湾、海南、广东、广西、福建、云南等省（区）低海拔地区。在江西赣州、湖南郴州、浙江温州和四川西昌、渡口市与贵州南部等地区亦有发生。100多年前在广东潮汕地区最先发现此病为害。1930年第一次大发生，70—80%的桔树遭受其害。1943年前后第二次爆发，1955年左右，第三次流行；1960—1978年又多次猖獗成灾，对华南几省的柑桔生产为害极大。柑园发病后2—3年内，完全丧失生产能力，失去经济栽培价值。与重病园相邻的新栽柑桔园常未投产即遭毁灭。黄龙病的为害和防治是当前华南和西南部分桔区柑桔生产中的主要问题，是大量发展柑桔的最大障碍。
症状（图2-1）
图2-1柑桔黄龙病
1.病枝2—4.病果5.健果6—7.斑驳状病叶8.均匀黄化病叶9.叶脉木栓化病叶10—11.缺素状病叶
本病全年都可发生。症状表现在枝、叶、花、果及根部。地上部初期症状在春、夏、秋梢上出现，以夏梢上为最多，秋梢上次之，春梢上最少，幼龄树的冬梢也有少数发病。但其严重程度则以春梢最重，夏梢最轻。
叶片症状是识别黄龙病的主要依据。发病初期最典型的症状，是在浓绿的树冠中出现一二枝或几枝黄梢，广东俗称“鸡头黄”。但发病时期不同，叶片上症状的表现也有差别，在夏、秋梢开始发病初期，个别或部分新梢叶片黄化，表现为斑驳型，在叶片生长转绿后，从主侧脉附近、叶片基部或边缘开始黄化，黄化部分逐渐形成黄绿相间的斑驳，以后多在叶片转绿后全叶黄化。叶片在生长过程中不转绿，呈现均匀一致的黄化。但主侧脉附近仍保持绿色，仅脉间叶肉黄化，类似缺锌或缺锰症状。黄化类型中，斑驳型最有代表性，是黄龙病的主要特征。在初发病的枝梢上，斑驳型黄化和均匀型黄化的叶片占多数，病枝上再发的新梢、叶片，主要是斑驳型黄化和缺素型黄化。
春梢上的黄龙病症状，当年新抽的春梢虽能正常转绿，但5月以后病树的部分或大部分新叶片褪绿转黄。病叶的叶脉肿胀呈黄白色或淡绿色，叶质硬化，叶片上呈现黄绿相间的斑驳或均匀黄化或绿色。春梢的症状发展较快，4—5年生的椪柑或蕉柑幼树，当年春梢发病后，到冬季时便全树发病。
夏、秋、冬梢上的症状基本相同。在蕉柑树上有1至数根小枝上长出的新梢嫩叶不能转绿，黄化不显著，主脉色淡，略带光泽。老熟后叶肉变为均匀的黄绿色或黄白色或呈黄绿相间的斑驳。叶片革质化，比健叶粗厚，手摸有粗糙感，无光泽，叶脉肿胀并局部木栓化开裂。少数夏、秋、冬梢在叶片老熟后才褪绿转黄，病叶的叶脉肿胀，叶肉呈现黄绿相间的斑驳。病梢较硬，外表皮黄白色，叶片着生的角度小。在铅余袭椪柑树上的病叶多为叶脉先变橙黄色，类似缺素症黄化，后转槐兄为均匀型黄化或斑驳型黄化。柠檬和柚子的病叶常呈黄绿相间的斑驳。温州蜜柑和橙类病叶表现斑驳型较多。桔类则和蕉柑一样，新梢病叶均匀黄化的较多。
夏、秋梢部分新梢的叶片黄化，呈明显的“黄梢”病状，随后下段枝条和树冠其他部位枝条陆续发病，是初发病树的特征。“黄梢”多在树冠顶部出现，以后逐渐扩展，一般1—2年后全株发病。大枝发病，叶片症状以斑驳及均匀黄化为主，后期以斑驳和缺素型为主。轻病株的病枝上还能抽发出新梢，但梢短而弱，叶片亦小。
中、后期症状，当年发病的“黄梢”，病叶到晚秋陆续脱落，耐病力较强的品种晚秋往往不落叶，但到翌年春梢萌发前全部落光，病枝枯死。有些不死的病梢则萌芽较早，长成的新梢短而纤细。在蕉、椪柑宽皮柑桔类中，有的病枝上病叶细小狭长、硬化、叶脉大多肿胀，淡黄绿或黄白色，叶肉橙黄色。呈“缺铁、缺锌”症状。在橙类、柚类的病叶上，以“缺锌”症状表现较多，但叶片不明显变小，叶质不变厚而较软，叶脉也不肿胀。温州蜜柑的病叶多呈“缺素”症状，细长硬化，主侧脉肿胀，木栓化，叶缘向叶面卷曲。
一二年生幼树的当年新梢“黄梢”后，到下次抽梢期或冬季，便全树黄化，但成年树或树冠大的病树，需2—3年才全部枝叶发黄。当一个主枝的顶梢发黄后，便自毁衡上而下逐渐扩展，再蔓延到旁边的另一主枝，被蔓延扩展的主枝的基部小枝先发黄，自下而上扩展到顶梢。如此扩展蔓延的过程，似与病原在树体内运转有关。
在花、果上的症状，病树往往比健树提前开花，花量大，花朵小，畸形花和无叶花的比例大，花瓣短小肥厚，黄色，无光泽，最后几乎全部脱落，不结果或结果极少。既使结果到成熟前也全部落光。
病树开花多，梢叶少，结的果实小而且多为畸形果（果脐常偏歪在一边），果皮光滑，汁少，味淡而酸，着色时黄绿不均匀，形成“花脸”果（如福桔、十月桔等）或果蒂附近着色，其余部分为青绿色，成为“红鼻果”。
在根部，发病初期无显著变化，随着病情的加重，根系逐渐腐烂。病树根部腐烂的严重程度与地上部枝梢发病轻重相对应。病树根部须根减少，根尖腐烂变成褐色，以后大根逐渐腐烂，新根极少，至发病后期，主根亦全部腐烂，皮层碎裂脱落，整株枯死。
黄龙病引起的黄化症状，与其他原因引起的黄化不同，缺氮和水害引起柑桔黄化，是全株性的，无“斑驳”症状，同时叶片较软，不变小；缺乏微量元素，也是全株性黄化，同样无“斑驳”症状；脚腐病、星天牛等为害或环割树皮引起的黄化，也是全株叶片或叶脉黄化，后期同样无“斑驳”症状。而黄龙病引起的黄化，则是从少数“黄梢”逐渐扩展到全株，在叶片上引起黄绿相间的“斑驳”症状。
病原
根据黄龙病病原对四环素族抗菌素以及青霉素都敏感、柑桔木虱传病、以及电镜观察的结果，柑桔黄龙病的病原是类立克次氏体（Rickettsia-likeorganism）细菌。菌体多数呈圆形、椭圆形，梭形，少数呈不规则形。其外围是由三层膜构成，界膜厚度为13—33nm，菌体大小为160—830nm，梭形菌体可长达1800nm。内含类核糖蛋白体质粒及类DNA的线粒体构造。此病原与螺原体（Spiroplasma）、菌原体（Mycoplasma）有区别，后两者的界膜厚度只有7—10nm，且对青霉素不敏感。
本病菌抗热力较差，病接穗或病苗用49℃湿热空气处理50—60分钟，可明显减少病害的发生。田间13时的气温达40℃以上，可使症状暂时消失，但气温降低后，过一段时间症状又再现。
黄龙病的寄主范围，目前只发现其为害柑桔属、金柑属和枳属以及九里香属的九里香。
发生规律
黄龙病的初侵染源主要是果园病株和带病苗木。远距离传播，主要靠带病苗木和病接穗的调运。在老病区主要来自果园中的病树。柑桔木虱（DiaphorinacitriKuw.）成、若虫吸食带病的汁液，病原体在木虱体内的巡回期约30天。病原在木虱体内繁殖后，进入刺吸式口器的唾液中，迁飞到无病的柑桔树上取食时即传染给健株，引起发病。病原在尤力克柠檬和甜橙的实生苗中的潜育期为10个月左右。用病芽嫁接传病潜育期为8—10个月。病原在树干、枝、叶皮层的韧皮部内繁殖移动，树冠上就表现出黄化、斑驳等症状，最后严重直至死亡。因此，一个地区或一个果园有了病树或病苗后，就以柑桔木虱为媒介，在近距离内（100—200m）传播，使一个果园在发病后2—3年发病率即达70—100%，最后导致全园毁灭。距离1km以上，有防护林、树林或大的建筑物、河流等阻隔时，可减缓木虱的传播。
此病不能汁液摩擦传染，土壤也不传病，香橼（Citrusmedica）和科塞来檬（C.limonia）的种子有传病的可能，尚待进一步实验证实。
柑桔黄龙病大流行的条件
柑桔木虱虫口密度的大小与黄龙病发生轻重成正相关。如广东博罗县某国营柑桔场，在1953—1974年以前的20年中，柑桔木虱很少发生，2.15万亩桔园96万株树，发病率不到1%，1977—1978年柑桔木虱大发生，黄龙病发病率达24.03%，猖獗成灾，共砍毁病树95万余株。另外在广东澄海县的3个柑园调查，同样说明了虫多、病多；病多，虫亦多的关系（表2-1）。由于木虱虫口多，病害传播的机会也就多，发病就严重。此外，由于病树枝叶少，生长差，结果少，光照好，抽梢次数多，有嫩芽的时间长，食物丰富，木虱多集中在这些病树上为害吸食，然后把病源传染给健株。
表2-1柑桔木虱虫口密度与黄龙病发病关系
柑桔木虱的分布与黄龙病发生的关系。以往认为地理纬度和海拔高度与黄龙病的发生有着密切关系，即四川西昌以北，广西桂林，广东石坝，江西赣州，福建福安和福州以北的大多数桔区，无黄龙病的发生和为害，是该病分布的北线。高海拔地区亦很少发病或不发病。近年来的研究结果证明，黄龙病的分布完全受木虱分布和密度所左右。如广西从南到北，木虱从有到无，而黄龙病则从严重到不发生。在四川西昌从低到高山，木虱由多到少，黄龙病则从严重到轻微。在云南宾川海拔1465m的桔园内，木虱数量极多，桔树几乎100%的发病，可是在1600m高的柑园中，木虱极少，只有百分之几的植株发生黄龙病。北限以远的地区，1月均温多在7℃以下，木虱在这些地方不能越冬，更不能产卵繁殖，因此黄龙病不能发生，既使发生也不能扩展蔓延，终将随病树的枯死而消亡。高海拔地区，冬季气温低，而且雾多，湿度大，日照短，昼夜温差大，桔树生长势旺，抽梢次数少，这些环境条件，都不利于柑桔木虱的生存和发生，所以黄龙病不致于流行。柑桔木虱生活的范围，就是黄龙病发生的区域。在一个地区，往往是先有木虱的发生，然后才有黄龙病的为害。柑桔木虱的寄主除为害柑桔类和九里香以外，还可为害广东酒饼筋和臭草等植物。是否凡柑桔木虱为害的植物都带有黄龙病病原或发生类似黄龙病的病害，尚有待进一步研究证明。
桔园中木虱虫口数量和柑桔新梢的抽发与黄龙病的发生高峰相一致。一般生产性的桔园在2—4月吐放春梢，6—7月抽发夏梢，8—9月抽生秋梢。3次新梢的萌发期是木虱成虫发生为害的3个高峰期，也是黄龙病发病的3个盛期，3次新梢成熟老化是木虱虫口下降的低潮。在我国华南桔区，全年有嫩梢抽发的情况下，木虱周年均可繁殖为害，所以黄龙病发生为害特别严重，只要有嫩芽存在各虫态周年可见。幼、若虫离开柑桔的嫩芽就不能成活。嫩芽对木虱成虫体内卵的发育有刺激作用，无嫩芽发生，体内的卵就不能发育成熟。冬春季节成虫体内卵巢的成熟进度，与柑桔品种发芽的早晚关系密切。总之木虱的虫口密度受食料、气候、环境、喷药和天敌活动等诸因子的影响，其中最主要的是食物和气候环境。一般病树和衰弱树上的虫口密度较健树上多10至数十倍，因此病果园、衰老园和病果园附近的幼龄园，黄龙病的发生都严重。幼龄园的发病率超过10%，或成年柑园的病株率达20%以上时，在2—3年内将成片毁园。相反，如果柑园内的病苗、病树很少，并能及时砍烧，加强栽培管理，重视传病昆虫木虱的防治，则黄龙病的发生缓慢，为害亦轻。
光照条件与病害发生的关系
在叶荫稀少，阳光充足的柑桔园内，空气对流作用强烈，相对湿度较低，加上阻隔少，木虱活动频繁，黄龙病传播迅速，为害严重（表2-2，2-3），相反种在森林中，在萌蔽环境下的柑桔树，木虱虫口少，病害轻。一般种在森林内空旷地里的柑桔不得病，已发病的树遮荫后病害减轻。在荫蔽环境下，水分充足，湿度大，气温和叶片上的温度都比较低，且稳定，光线多是散射光，有利于柑桔生长，且叶身大而色浓绿，加上抽梢次数少，木虱不多，一般不发病。
表2-2不同光照条性下木虱虫口密度与发病关系
表2-3九里香在不同光照条件下的发病率
有防护林、森林、高山阻隔，分散种植的山地柑园，黄龙病的发展和为害较慢而轻；相反在平原、低丘，成片种植，又无防护林等隔离条件，病害发生早，传播快，为害较重。
树龄和传染速度的关系
一般老龄树比幼龄树的抗病力强，黄龙病的传染发展较慢。老树树冠大，病原引致全株发病所需的时间比幼树长。在发病较重的老柑桔园附近新建柑园，或在病果园中补栽幼树，则新栽幼树常比老树更快病死，广东潮汕果农称为“先种后死，后种先死”。查其原因，是新栽幼树抽梢次数较老树多，柑桔木虱在幼树上传毒活动的机会多，所以常先病死。
一个桔园中病树越多，发病为害就越严重。在果园中少数几株开始发病时，这些零星发病的枝梢多在树冠上突出的向阳部位。而木虱在晚秋、冬季和早春喜欢在光照好，气温高的东南和西南方向的枝梢上生活。而且病树上病梢抽放嫩芽的时期要比健树早，木虱就集中在这些病芽上取食、产卵和越冬。翌年春，周围健树抽放新梢时，木虱成虫开始为害、传病和繁殖，黄龙病就愈来愈严重。但是由于木虱的飞翔力不强，活动范围不大，形成一株发病后，向四周扩散的发病中心。要防止病害的传播蔓延，必须对病树和木虱彻底予以清除。
栽培管理与黄龙病发生的关系
大丰收后的柑园，若管理跟不上而导致柑桔树生活力减弱、抗病力下降，翌年就易发生黄龙病，迅速衰退枯死。相反，水肥管理好，排灌及时，防治木虱彻底，不受旱、涝的桔园，发病少，而且速度慢。
柑桔品种的耐病性
在现有的柑桔栽培品种中，对黄龙病都有不同程度的感病性，其中最易感病的为蕉柑、椪柑、茶枝柑和年桔等，耐病性较强的有温州蜜柑、甜橙、柚和柠檬。酸橙类受害较轻。枳最轻，在田间无明显症状。
砧木对接穗抗病性的影响，一般不明显。嫁接在酸桔、枳、檬、福桔等常用砧木上的植株，以及嫁接在甜橙、枳橙、香橙、粗柠檬等砧木上的植株都易感病，发病的严重程度无明显差异。
防治方法
40余年的研究结果证明，实施植物检疫是保护无病区和新区的重要行政法规。建立无病苗圃，培育和种植无病苗木，是预防黄龙病的基础。在病区及时消灭传病木虱，彻底挖除病树，是防止黄龙病发生流行的关键措施。病区发展新果园时，在有条件的情况下，尽可能种植在比较隔离的地方，避免和减少柑桔木虱的为害和传病，以减少黄龙病的发生。在贯彻执行上述措施的前提下，加强栽培管理，创造不利于病原物而有利于或无害于寄主的生态环境，使植株生长健壮，抑制病原物的侵染活动，以达到桔园早结果、丰产、稳产、长寿的目的。
1.严格实施植物检疫
禁止病区的苗木、接穗进入无病的保护区，无病区不得向病区引入苗木、种子、接穗等繁殖材料。
2.建立无病虫苗圃，培育无病虫壮苗
建立省、县、乡（村）三级无病虫（检疫性）苗圃。它们各自的任务是：省级建立无病虫中心采穗母本园，负责培育无病母树，为各县无病苗圃提供无病基础苗和无病接穗。县（市）级无病苗圃负责把省级圃提供的无病基础苗和无病接穗，扩大繁育，为其所属的乡（村）级注册的苗圃，提供无病虫的良种接穗，或直接向生产单位、果树专业户供应无病虫苗木。乡（村）级无病苗圃用县级圃提供的无病接穗或苗木，培育无病苗木，供应各果场和果农种植。
省级无病虫中心采穗母本园，应建立在距柑桔5km以上的山区、林区，最好是四周群山环抱的地方，园的四周种植防风林（杉、木麻黄、女贞、竹等），园内每隔50米宽，种植水杉、杉、女贞等作隔离的防风林带。
市（县）、乡（村）级无病虫（检疫性的）苗圃的地点，原则上按省级圃的要求，最少也要离柑桔2km以上，有防护林时，隔的距离可以近一些。
建立省级无病虫中心采穗母本园的技术措施：
（1）选品质优良，8—10年生健康的大树采集种子，把种子装入竹篓或布袋中，在50—52℃的温水中预浸5分钟后，投入55—56℃恒温热水中浸种50分钟，浸种时热水要淹过种子3厘米以上，并不断搅拌，使种子受热均匀。取出种子投入冷水中降温，然后摊晾，至种子表皮水分晾干后播种在隔离的地方，用以培育无病的实生树。结果后，选择丰产优质的无病单株作母树，采穗繁育无病苗。砧木种子同样采用上述方法经55—56℃，50分钟的热水处理后，播种培育砧木苗。
（2）在远离病区的无病园，选10年生以上丰产优质的大树采接穗，在隔离苗圃内嫁接育苗和定植，经4—5年观察，证明无病丰产优质的单株，可选定为母树，用以采接穗培育无病苗。这个方法也较可靠。但是，品种资源有限，很可能满足不了生产上品种多样化和优质丰产的需求。此外，还可能带有某些隐症病毒病。
（3）在病区里的无病或轻病果园内，选无病的各品种的丰产、优质、外观健康的单株，作为优良母本树采接穗，培育无病母树候选苗。具体做法是：接穗用肥皂水洗刷后，用链霉素700ppm加1%乙醇或白酒处理30—60分钟，再用47—50℃热水处理6—12分钟，每24小时处理1次，连续3次，再用四环素2000ppm浸泡2小时脱除病原后嫁接，培育母树候选苗。
（4）采用茎尖嫁接法脱除病原，培育母本树候选苗。
鉴定无病母本树候选苗的方法和标准。候选苗是以无黄龙病为主并要求无衰退病和裂皮病，争取无溃疡病和柑桔木虱等检疫性、危险性病虫。除溃疡病和柑桔木虱靠现场肉眼检定外，其他病害检查标准有四项：①每年秋冬季黄龙病症状最明显时期进行检查，连续3年均未发现黄龙病、衰退病和裂皮病的典型病状，并园艺性状表现良好者；②显微镜快速诊断和电子显微镜检查候选苗，未发现红色团块，原核微生物和线状病毒质粒者。取叶柄徒手切片，置于载玻片上，滴数滴0.1%番红（Safranin）液，染色2分钟，用滤纸吸去染液后，再滴数滴95%乙醇脱色，随即用滤纸吸去乙醇，最后滴蒸馏水加盖片，在显微镜下检查，未发现韧皮部中有鲜红色至暗红色团块（健康的为无色至浅红色）。或用常规方法，取叶脉制成超薄切片样本，在电镜下检查；③候选苗生物测定表现阴性反应。种子经55—56℃，50分钟热水处理后繁育的蕉、椪柑实生苗（对黄龙病）、尤力克柠檬和墨西哥来檬实生苗（对衰退病）；以香橼（Arizona）实生苗或扦插苗（对裂皮病）为鉴别植物，分别用腹贴接法，每株嫁接2个被测定候选苗的芽或梢（长10厘米、带芽、对黄龙病）。每个测定样本嫁接3—5株鉴别植物，连续观察3年。在蕉、椪柑苗上无黄龙病症状表现，在尤力克柠檬和墨西哥来檬苗上无衰退病病状，在香橼苗上无裂皮病病状者；④抗衰退病的血清测定无阳性反应者。在候选苗上取春梢茎皮，经干燥后，用事先制备好的柑桔衰退病抗血清进行酶联法测定。
完全符合上述四个条件要求的候选苗，可定为无病母树基础苗。无病基础苗繁殖后，种植在隔离的中心采穗母本园，或市（县）级采穗母本园内，称为无病母树，专为注册苗圃提供无病接穗，培育无病苗木之用。
3.发展新区和保护新区
（1）种植无病苗
新发展区一定要栽种由省、市（县）提供的接穗培育的无病苗，严格禁止栽种其它来源的柑苗。并随时检查柑园，一旦发现病株或可疑病株，应立即砍除，并彻底防治柑桔木虱等害虫。
（2）以市（县）为单位划定新区和病区
新区应严格实施检疫，建立无病虫苗圃，培育无病苗和栽培无病苗。
4.病区病虫的防治
（1）隔离种植在老病区建立新果园时，要离老果园500m以上，因新植园抽发新梢的次数多，柑桔木虱要到嫩芽上产卵为害，而容易传病，所以不能在老病园旁辟建新桔园。
（2）重病区要在整片植株全部砍除清理一年后，才能建立新果园。
（3）彻底防治传病的柑桔木虱。
（4）及时挖除病树，防止病虫扩散在柑桔的生长季节，随时巡视柑桔园，发现病树，立即挖除。特别是初发病的轻病园，及时挖除病树，是防止木虱大发生和黄龙病传播的关键性措施。挖得越早，越彻底，效果就越好，否则将影响邻近果园的健康成长。病和虫往往是相伴而生，发现1株病树（挖除后），就应及时用药防治周围的几株。零星发病园应全园喷药除虫，以防木虱将病害传播开来。如果只发现木虱未发现病树时，也应及时用药除虫，以防病害爆发。轻病树锯掉病枝后，也要经常喷药除虫。
（5）及时补栽大苗，保证产量稳定发病率未超过20%的老柑园和未超过10%新柑园，挖除病树后，应及时补栽大苗，以保证桔园高产稳产。凡新柑园的发病率超过10%，老柑园超过20%的可不再补栽。
一蓝+蓝：受到溅射的目标伤害=被攻击目标的15%受到伤害
二蓝+蓝+黄：受到溅射的目标伤害=被攻击目标的20%受到伤害
三蓝+蓝+黄+黑：受到溅射的目标伤害=被攻击目标的25%受到伤害
OK，本文到此结束，希望对大家有所帮助。
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